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SiHU3N50D
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
6
3
Vishay Siliconix
5
4
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9V
T J = 25 °C
2.5
2
I D = 1.5 A
3
8V
1.5
2
1
V GS = 10 V
1
0
7V
6V
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
4
3
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
T J = 150 °C
1000
C i ss
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C i ss = C g s + C gd , C d s S horted
C r ss = C gd
C o ss = C d s + C gd
9.0 V
8.0 V
7.0 V
100
2
1
0
6.0 V
5.0 V
10
1
C o ss
C r ss
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
6
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
24
V D S = 400 V
5
4
3
2
T J = 150 °C
20
16
12
8
V D S = 250 V
V D S = 100 V
1
0
T J = 25 °C
4
0
0
5
10
15
20
25
0
3
6
9
12
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Q g , Total G ate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
S14-0005-Rev. B, 20-Jan-14
3
Document Number: 91493
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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